[发明专利]具沟槽晶体管氮化物只读存储器记忆单元的制造方法

摘要

在沟槽被蚀刻至半导体材料之前，使用一导电性位线层并将其图形化至彼此呈平行排列的部分中，其中，在图形化该位线层(3，4)之后且蚀刻该沟槽之前，导入一注入以定义接合的位置；或是在注入源极/漏极区域的n⁺－型井(19)后，利用一配置于该半导体主体(1)上的蚀刻终止层(2)而将位线层(3，4)图形化。

主权项

1.一种氮化物只读存储器(nitride read-only memory，NROM)记忆单元的制造方法，所述NORM记忆单元具有一栅极电极(18)，其配置于一半导体主体(1)或是一半导体层的顶侧，并藉由介电材料而与该半导体材料绝缘，且具有一源极区域(15)与一漏极区域(15)，其皆形成于该半导体材料中，该栅极电极(18)配置在一形成于所述源极区域与漏极区域间的半导体材料内的沟槽(8)中，且一储存层(9)，其至少存在于该源极与该栅极电极之间，以及该漏极与该栅极电极之间，该储存层用于捕捉电荷载子，其中至少一导电性位线层(3，4)乃被涂布并图形化为彼此平行排列的部分，该沟槽(8)自存在于所述部分之间的一顶侧而蚀刻至该半导体材料，其中，在图形化该至少一导电性位线层(3，4)之后，且在蚀刻该沟槽(8)之前，乃导入一注入以定义一位置，在其中一位在一源极/漏极区域(15)以及一沟道区域之间且设于所述沟槽的一较低部位的边界乃紧邻所述沟槽，或其中，在该源极/漏极区域(15)的一注入之后，利用一配置于该半导体材料上的蚀刻终止层(2)而将该至少一导电性位线层(3，4)图形化。