[发明专利]用于清洁CVD装置所用原料气导入管的方法和装置无效
| 申请号: | 03812956.6 | 申请日: | 2003-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN1659307A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
| 发明(设计)人: | 浜研一;鹿毛刚;小林巧;川边丈晴 | 申请(专利权)人: | 三菱商事塑料株式会社;友技科株式会社;麒麟麦酒株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;B65D23/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 孙爱 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种清洁用于在CVD成膜装置中引入原料气的导管的方法,其特征在于包括当塑料容器内表面上形成CVD薄膜以后,在从塑料容器内部拉出导管的过程中向附着在导管外表面上的污渍喷射压缩空气从而除去污渍,同时用吸气和排气装置将压缩空气从导管上去除的污渍排至成膜室系统外,从而使污渍不会转移到成膜室和含有所形成CVD薄膜的塑料容器一侧;以及用于实施该方法的一种设备。本方法防止含有碳粉作为主成分的污渍强烈粘着在导管外表面上,并使得可以在短时间内轻而易举地除去污渍。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 清洁 cvd 装置 所用 原料 导入 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洁CVD装置所用原料气导入管的方法,该方法在将一个塑料瓶放在具有外电极功能的密封沉积室中、从可提升地插入该塑料瓶并充当内电极的原料气导入管引入原料气、将原料气激发成等离子体以在塑料瓶的内表面上形成CVD(化学气相沉积)薄膜的工艺过程中,清洁了粘着在原料气导入管外表面上的主要含碳粉的污染物,在该方法中,在塑料容器内表面上形成CVD薄膜以后从塑料容器中抽出原料气导入管的工艺中,当向污染物喷射压缩空气时,通过吸气和排气装置将喷射压缩空气所除去的污染物排出沉积室系统外,从而污染物不会转移到沉积室和其中形成CVD薄膜的塑料容器一侧。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





