[发明专利]具改善可靠性之铁电记忆集成电路有效
| 申请号： | 03812889.6 | 申请日： | 2003-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1659661A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | M·贾科布;U·维尔豪森 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)，其具有利用串连方式排列之内存单元。上电容器电极及有源区域间之上区域互连系利用一导电带达到，一导电带之使用系可以消除额外金属层之需要，进而降低其制造成本。另外，侧壁间隙系用以隔离导电带及电容器之不同层。间隙之使用系可以有利于导电带之自我校准。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 可靠性 记忆 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，其包括：一第一内存单元，具有一第一晶体管，其具有第一及第二扩散区域，及一第一电容器，其在上下电极中间具有一介电层；一第二内存单元，具有一第二晶体管，其具有第一及第二扩散区域，及一第二电容器，其在上下电极中间具有一介电层；该等第一及第二晶体管之该等第二扩散区域系形成一共享扩散区域；以及一导电带，耦接该等第一及第二电容器之该等上电极至与该共享扩散区域耦接之一第一接触，其中，该导电带系利用该等电容器之侧壁表面之间隙、而与该等电容器隔离。
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