[发明专利]反铁电性液晶及其制造方法无效

专利信息
申请号: 03812255.3 申请日: 2003-05-23
公开(公告)号: CN1656198A 公开(公告)日: 2005-08-17
发明(设计)人: 岸川圭希;山本忠;幸本重男 申请(专利权)人: 独立行政法人科学技术振兴机构
主分类号: C09K19/20 分类号: C09K19/20;C09K19/46;G02F1/13
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在层列C液晶(2)中混合棒状分子(1)时,由于静电能量最小的原理,各棒状分子(1)的永久偶极矩方向按照与层的边界方向一致进行排列,并且相邻的边界层的永久偶极是按照使永久偶极矩的方向相互反向地进行排列,因此通过棒状分子的“ㄑ”字形的棒状部分,液晶分子长轴每一层反向地倾斜,实现每一层反向地倾斜的层列CA相。如果使用用光学活性基取代了层列C相液晶分子的末端基的手性层列CA液晶,则实现了反铁电性液晶。
搜索关键词: 反铁电性 液晶 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种反铁电性液晶,其特征在于,由层列C相液晶分子的末端基用光学活性基取代了的手性层列C相液晶、和棒状分子混合而成,其中所述棒状分子是在分子的中心附近具有分子短轴方向的永久偶极矩,分子的分子长轴长为上述手性层列C相液晶分子的分子长轴长以上,并且具有使分子的中心附近为折曲部分的“ㄑ”字形的形状的棒状分子。
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