[发明专利]SOI－LDMOS器件有效
| 申请号： | 03811571.9 | 申请日： | 2003-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1864269A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | J·佩特鲁泽尔洛;B·杜福特;T·J·勒塔韦 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H02H9/04;G01R19/04;G01R19/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI－LDMOS型半导体器件，其中将场板划分为多个电隔离的子场板。其中至少两个划分的子场板连接到外部电路以读出其各自的输出电压。通过连接具有特定元件的第一外部电路和第二外部电路，将一个电路构造为用来确定瞬时输出电压，而将另一个电路构造为用来确定输出电压作为时间函数的变化。如果瞬时输出电压或者电压对时间的导数超过所设定的值，则将半导体器件与电源断开。 | ||
| 搜索关键词： | soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件(10)，具有第一导电类型的源区(24)，漏区(50)，第二导电类型的衬底(20)，和栅极(32)，该半导体器件(10)包括与其的其他端相隔离的多个子场板(F1，F2)，每个子场板(F1，F2)具有电极(T1，T2)用于感测和从中分析电压值。
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