[发明专利]纳米压印光刻胶

摘要

本发明涉及一种电子元件的微结构化方法，其提供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比，但明显比照相平版印刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤：i)制备如权利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜；ii)制备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材；iii)借助微结构化的转移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上；iv)将转移的溶胶膜材料予以固化；v)移除转移压印冲头，得到压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另外包括下列步骤：vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜层，优选用CHF₃/O₂等离子体，vii)等离子体蚀刻底涂层，优选用O₂等离子体，viii)蚀刻半导体材料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。

主权项

1.一种纳米复合材料组合物用作用于将半导体材料、平面形荧光屏、微机械元件和传感器微结构化的光刻胶的用途，该组合物包含：a)通式(I)和/或(II)的可聚合的硅烷和/或由其衍生的缩合物SiX4 (I)其中X基团相同或不同，表示可水解基团或羟基；R1aR2bSiX(4-a-b) (II)其中R1是非可水解基团，R2是带有官能基的基团，X具有前述意义，a和b具有值为0、1、2或3，其中(a+b)的和具有值为1、2或3，和b)纳米级粒子，选自氧化物、硫化物、硒化物、碲化物、卤化物、碳化物、砷化物、锑化物、氮化物、磷化物、碳酸盐、羧酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硅酸盐、钛酸盐、锆酸盐、铝酸盐、锡酸盐、高铅酸盐及它们的混合氧化物。