[发明专利]铜和阻障层之整合化学机械抛光的方法和设备无效
| 申请号： | 03810974.3 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1653600A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 哈马洋·达理;布兰特·巴萨尔;德格拉斯·杨;王育诚;图安·杜安鲁 | 申请（专利权）人： | ASM努突尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种抛光半导体晶圆表面上多个层的方法，其包括在抛光垫的第一部分上使用抛光溶液来抛光例如是铜的第一层，以及在抛光垫的另一部分上使用抛光溶液来抛光作为阻障层的另一层。每一层可使用不同或相同的抛光溶液。类似地，抛光垫的不同部分最好适用于抛光一个对应的晶圆层。抛光垫的不同部分可以位于相同的垫子上或是位于不同的垫子上。同时亦请求向单一抛光垫供应抛光溶液的两条不同供应线路的专利。 | ||
| 搜索关键词： | 阻障 整合 化学 机械抛光 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种抛光半导体晶圆表面上多个层的方法，此方法包括下列步骤：在抛光垫的第一部份上使用抛光溶液来抛光第一层；以及在抛光垫的另一部份上使用抛光溶液来抛光另一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
