[发明专利]对垂直腔表面发射激光器的导电结构进行改进的装置和方法在审
| 申请号： | 03809926.8 | 申请日： | 2003-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1650489A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | X·张 | 申请（专利权）人： | 路美光电公司 |
| 主分类号： | H01S3/08 | 分类号： | H01S3/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在垂直腔表面发射激光器(VCSEL)(200)的筒体上形成高掺杂的半导体层(280)，从而提供电流传导并使电流散布穿过并进入激光器筒体的开孔中，同时无需挡光的导电性接触件突出。该VCSEL (200)包括基底、第一分布式布拉格反射体(DBR)(230)、激活区(240)、具有非导电性离子注入区(255)和第一直径(260)的激光器筒体区的第二DBR、高掺杂的半导体层(280)，以及导电性接触件(215)。该导电性接触件限定了具有大于第一直径的第二直径(265)的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 表面 发射 激光器 导电 结构 进行 改进 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于发射相干光的面射型激光器，其包括：基底；形成于所述基底上的多个半导体层，其中 一个或多个所述半导体层构成第一分布式布拉格反射体，DBR， 一个或多个所述半导体层构成激活区， 一个或多个所述半导体层构成第二DBR，该第二DBR包括相干光能穿过的激光器筒体区；以及 非导电性离子注入区，其限定所述第二DBR中的所述激光器筒体区的导电性边界；形成于所述第二DBR和所述非导电性离子注入区之上的高掺杂的半导体层；形成于所述基底下面的第一导电性接触件；以及形成于所述高掺杂半导体层之上的第二导电性接触件，两个所述导电性接触件都能向所述激活区施加偏压，从而发射相干光，其中所述高掺杂的半导体层和所述导电性接触件的结合使电流穿过面射型激光器而不会阻挡来从所述激光器筒体区发射的相干光。
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