[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 03809799.0 | 申请日: | 2003-07-10 |
公开(公告)号: | CN1650045A | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
发明(设计)人: | 山﨑英亮;河野有美子;山本纪彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/285;H01L21/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的成膜装置100的特征是,包括:装入用于生成源气体的原料的原料容器10;用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120;用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30;具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32;和,从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33;并且,原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管,在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,包括:装入用于生成源气体的原料的原料容器;用于对半导体基板进行成膜处理的成膜室;用于将所述源气体从所述原料容器供给至所述成膜室的原料供给管路;和,设置有真空泵系统的用于排出所述成膜室中气体的排气流路,其特征在于:所述原料供给管路包含有内径大于6.4mm的配管。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的