[发明专利]半导体记忆装置及操作半导体记忆装置方法无效
| 申请号： | 03809183.6 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1650368A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | S·沃尔姆;S·施瓦尔滋 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供一种半导体记忆装置(10)，其中磁场(H)可藉由磁场施加装置(40)被施加至记忆胞元(30)，因此想要的磁场(Mdesired)可被施加至动作的记忆胞元(30)之硬磁层(31h)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 记忆 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以磁阻储存机制为基础之半导体记忆装置，尤其是MRAM内存，具有至少一记忆区域(20)，其具有复数记忆胞元(30)，以及具有至少一磁场施加装置(40)，藉由该磁场施加装置以可控制及/或预定形式的方式施加一共同且至少区域性地同质磁场(H)到至少一些该记忆胞元(30)，因此动作中的记忆胞元(30)之至少部份或区域之磁极化及/或其磁化可于预定及/或可控制的方式被放大及/或定位。
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