[发明专利]电子场致发射体和与此相关的组合物无效
| 申请号： | 03809180.1 | 申请日： | 2003-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1650384A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | L·－T·A·程;D·H·罗奇 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;段晓玲 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了由含有电子发射物质和膨胀材料的物质形成的组合物。膨胀材料可以是例如层间化合物。当薄膜是由这种组合物形成时，膨胀材料的膨胀典型地会引起薄膜的断裂或破裂。在膨胀材料发生膨胀之后，对薄膜表面典型地不要求作进一步处理，以便获得良好的发射性能。利用这一类破裂薄膜形成的表面起着有效的电子场致发射体作用，因而能用于真空微电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 与此 相关 组合 | ||
【主权项】：
1.一种物质的组合物，它包含(a)电子发射物质，和(b)膨胀材料，其体积可膨胀至少约0.03倍。
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