[发明专利]除去光刻胶和蚀刻残渣的方法无效
| 申请号： | 03808542.9 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1647257A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | V·巴拉苏布拉马尼亚姆;M·萩原;E·西村;K·稻泽 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供等离子体灰化的方法，以除去在介电层的前一等离子体蚀刻过程中形成的光刻胶残余物和蚀刻残渣。灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体，其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压，从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣，另外从腔室表面上蚀刻并除去有害的氟烃残渣。在第二步清洗步骤中向基片施加增加的偏压，以便从基片上除去剩余的光刻胶和蚀刻残渣。两步工艺降低在常规的一步灰化工艺中常常观察到的记忆效应。可使用终点检测方法监控灰化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 除去 光刻 蚀刻 残渣 方法 | ||
【主权项】：
1.一种就地灰化的方法，它包括：引入含有含氧气体的工艺气体；在等离子体处理腔室内生成等离子体；将基片暴露于等离子体下，其中基片驻留在基片支架上；通过施加第一偏压到基片支架上进行第一灰化步骤；和通过施加第二偏压到基片支架上进行第二灰化步骤，其中第二偏压大于第一偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
