[发明专利]在离散片上沉积多层涂层的装置有效
申请号: | 03808497.X | 申请日: | 2003-04-14 |
公开(公告)号: | CN1647247A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | J·C·帕加诺;K·J·内尔森;P·E·伯罗斯;M·E·格罗斯;M·R·祖姆霍夫;P·M·马丁;C·C·邦哈姆;G·L·格拉夫 | 申请(专利权)人: | 维特克斯系统公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 韦欣华;赵苏林 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在底物上沉积多层涂层的设备。此设备包括限定连接真空源的真空室的箱室、几个各配置来在底物上沉积多层涂层的层的沉积站、固化站和减少污染的器件。至少一个沉积站被配置为沉积无机层,同时至少一个另外的沉积站被配置来沉积有机层。在一种设备结构中,底物可按多层涂层所需层数的要求来回穿梭该设备多次,对于另一种结构,此设备可包括多个相邻的相间隔的箱室,以使底物可一次单向通过。减少污染的器件可配置为一个或多个迁移控制室在至少一个沉积站的周围,而且还包括冷却器件,如冷却器,以减少各种层的前体的存在。此设备尤其适合于沉积多层涂层至柔性底物上,和包膜置于此柔性底物上的环境敏感部件。 | ||
搜索关键词: | 离散 沉积 多层 涂层 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于直列式沉积多层涂层在底物上的设备,所述设备包括:配置来接受所述底物的近端;在所述近端对面的远端;和至少一个箱室,基本上被配置于所述近端和远端之间,所述箱室限定共享真空和其中的基本线形的沉积路径,所述共享真空被配置为与真空源相连接,所述基本线形的沉积路径被设置来促进传送所述底物穿越所述箱室,所述箱室包括:至少一个有机层沉积站,被配置用来在所述底物上沉积至少一层所述多层涂层的有机层;至少一个固化站,被配置来固化由所述有机层沉积站沉积的有机层;至少一个无机层沉积站,被配置用来在所述底物上沉积至少一层所述多层涂层的无机层;和至少一种减少污染的器件,以控制构成所述有机层材料的迁移,所述有机层源于产生所述材料的所述有机层沉积站。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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