[发明专利]铁电内存中增加读取信号无效
| 申请号： | 03806556.8 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1643611A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | H·－O·乔基姆;T·罗伊赫 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明揭示一种改进之铁电内存胞元之感测。当一内存胞元之存取激活后，位线被预充电至一负电压，如－0.5至－1.0V。此举可增加有效板线脉波(VPLH)至VPLH+负电压之强度，因而导致VHI与VLO读取信号间差异之增加，因而增加感测窗。 | ||
| 搜索关键词： | 内存 增加 读取 信号 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包含：一铁电内存胞元数组，由位线及字符线互联：一感测电路耦合至位线；及一电压源耦合至感测电路，该电压源提供一负电压，该感测电路在准备内存存取时，预充电该位线至等于负电压之预充电电压位准。
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