[发明专利]布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置无效

专利信息
申请号: 03805505.8 申请日: 2003-03-07
公开(公告)号: CN1639383A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 青森繁 申请(专利权)人: 株式会社液晶先端技术开发中心
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C16/18;C23C18/18;H01L21/285
代理公司: 上海市华诚律师事务所 代理人: 徐申民;张惠萍
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置,包括有:在配置有积层板(103)的反应室(101)内导入有机金属分子气体,而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层(105)的步骤1;在所述吸附分子层形成之后,使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤2;对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤3;使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4;在所述选择区域中形成金属膜(110)的步骤5。
搜索关键词: 布线 金属 形成 方法 选择性 装置
【主权项】:
1.一种布线金属层的形成方法,用来在基板上的选择区域中形成布线金属层;包括有:在配置有积层板的反应室内导入有机金属分子气体,而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层的步骤1;在所述吸附分子层形成之后,使所述反应室内的有机金属分子的气体浓度减少或排气的步骤2;对该积层板上的选择区域照射光的步骤3;使在该积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4;在所述选择区域中形成金属膜的步骤5。
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