[发明专利]用于制备可分离半导体组件的工艺、特别是制成电子器件、光电器件和光学器件用的衬底有效
| 申请号： | 03805027.7 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1771583A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | F·勒泰特;B·吉斯伦;O·雷萨克 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;戈泊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤：只在两层之一(22)上形成界面层(26)，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 可分离 半导体 组件 工艺 特别是 制成 电子器件 光电 器件 光学 衬底 | ||
【主权项】：
1、一种制备用于电子、光电或光学应用的半导体基组件的工艺，该组件包括第一层如支座层和第二层如薄层，其特征在于包括如下步骤：只在所述两层之一上形成界面层，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层作为所述暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，所述键合界面在暴露于预定范围内的温度之后，在施加的应力作用下可分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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