[发明专利]生产低氧化硅、二氧化硅和/或碳化硅平面平行结构的方法,采用这些方法获得的平面平行结构和它们的应用无效
| 申请号： | 03803980.X | 申请日： | 2003-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1633477A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | H·维纳特;P·布亚德;R·海恩茨 | 申请（专利权）人： | 西巴特殊化学品控股有限公司 |
| 主分类号： | C09C1/00 | 分类号： | C09C1/00;C23C14/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;赵苏林 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本申请叙述了采用PVD方法生产的产品，该产品由厚度20－2000nm尺寸小于1mm的薄平面平行结构组成。生产是采用气化器使低氧化硅在经过的载体上发生缩合进行的。载体在低氧化硅缩合前，采用可溶性的无机或有机分离剂以PVD方法预涂覆。所有的步骤，包括通过溶解分离产品的步骤在内，都可以在不同的地点连续和同时进行。作为最终步骤，可以在含氧气体中在大气压和温度高于200℃下，将SiOy氧化成SiO2，也可以在含碳的气体中在500－1500℃下，在平面平行结构的表面上将SiOy转化成SiC。采用这种方法生产的产品具有厚度非常均匀的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 氧化 二氧化硅 碳化硅 平面 平行 结构 方法 采用 这些 获得 它们 应用 | ||
【主权项】：
1.一种生产SiOy平面平行结构的方法，其中0.95≤y≤1.8，优选1.1≤y≤1.8，该方法包括下列步骤：a)在可移动的载体上气相沉积一种分离剂，产生一层分离剂层，b)在所述分离剂层上气相沉积一种SiOy层，c)将所述分离剂层溶解在一种溶剂中，d)将SiOy与溶剂分离，在这种方法中，在步骤b)中的SiOy层是由气化器气相沉积的，所述气化器的装料包括Si和SiO2的混合物、SiOy、或它们的混合物，Si与SiO2的重量比例优选0.15∶1-0.75∶1，尤其是包含化学计算量的Si和SiO2的混合物，而步骤c)是在压力高于步骤a)和b)但低于大气压的压力下进行的。
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