[发明专利]改变光的偏振状态的方法和装置无效
申请号: | 03803785.8 | 申请日: | 2003-02-12 |
公开(公告)号: | CN1688915A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | 约里·S·迪多斯亚 | 申请(专利权)人: | 约里·S·迪多斯亚 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李勇 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 为了改变光的偏振状态使用磁性单轴晶体,其中光穿过所述晶体的预定区域。为了转换光的偏振状态,在所述晶体上施加具有一定磁场强度的磁场脉冲,在所述磁场强度下,所述晶体在所述脉冲结束后不再保持在单畴状态中,而是回复到规定的、由所施加的磁场的方向所确定的多畴状态中,从而能够实现开关元件大的可用孔径以及非常短的转换时间,这样只在转换本身时需要能量,而在保持特定状态时不需要能量。 | ||
搜索关键词: | 改变 偏振 状态 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.借助于磁性单轴晶体改变光的偏振状态的方法,所述晶体在外加磁场的作用下转为单畴状态,其中光穿过所述晶体的预定区域,其特征在于,在所述晶体上施加具有磁场强度(H)的磁场脉冲,在所述磁场强度下,所述晶体在脉冲结束后不再保持在单畴状态中,而是回复到规定的、由所施加的磁场的方向所确定的多畴状态中。
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