[发明专利]改变光的偏振状态的方法和装置无效

专利信息
申请号: 03803785.8 申请日: 2003-02-12
公开(公告)号: CN1688915A 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: 约里·S·迪多斯亚 申请(专利权)人: 约里·S·迪多斯亚
主分类号: G02F1/09 分类号: G02F1/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李勇
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 为了改变光的偏振状态使用磁性单轴晶体,其中光穿过所述晶体的预定区域。为了转换光的偏振状态,在所述晶体上施加具有一定磁场强度的磁场脉冲,在所述磁场强度下,所述晶体在所述脉冲结束后不再保持在单畴状态中,而是回复到规定的、由所施加的磁场的方向所确定的多畴状态中,从而能够实现开关元件大的可用孔径以及非常短的转换时间,这样只在转换本身时需要能量,而在保持特定状态时不需要能量。
搜索关键词: 改变 偏振 状态 方法 装置
【主权项】:
1.借助于磁性单轴晶体改变光的偏振状态的方法,所述晶体在外加磁场的作用下转为单畴状态,其中光穿过所述晶体的预定区域,其特征在于,在所述晶体上施加具有磁场强度(H)的磁场脉冲,在所述磁场强度下,所述晶体在脉冲结束后不再保持在单畴状态中,而是回复到规定的、由所施加的磁场的方向所确定的多畴状态中。
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