[发明专利]记忆单元有效
| 申请号： | 03803495.6 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1698211A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | J·德佩;C·克莱恩特;C·鲁德维格 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在位于沟槽记忆单元的例子中，一包含第一氧化物层(1)、一氮化物层(2)，以及一面对栅极的第二氧化物层(3)的层序列，存在于侧向沟槽壁上，而该氮化物层(2)则不存在于沟槽底部的弯曲区域(4)之中。在一可取代配置中，至少一阶段(step)的每个状况是分别被配置于该沟槽之该侧壁上，较佳系该源极区域或该漏极区域之下。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 单元 | ||
【主权项】：
1.一具有记忆晶体管的记忆单元，其在半导体本体或一半导体层的顶端测，具备在半导体材料所形成的沟槽中有一栅极，该栅极被安排于形成于半导体材料内以及利用介电材料与半导体材料隔离的源极区域与漏极区域间，其中，在该源极区域与该栅极间以及该漏极区域与该栅极间，包含一面对半导体材料的第一氧化物层(1)、一氮化物层(2)，以及一面对栅极的第二氧化物层(3)的层序列，至少被呈现于该沟槽的侧壁，而该氮化物层(2)则不存在于该沟槽底部的弯曲区域(4)之中。
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