[发明专利]制造及建构存储单元之方法

摘要

存储单元系包括于一半导体材质中的一源极区域(1)以及一漏极区域(2)，以及，于该源极以及漏极区域之间所提供的一沟道区域(3)之上，一具有一储存层(D’)位于边界层(A、C)之间的三层层结构以及位于该三层层结构之上的一栅极电极(G)，并且，在该沟道区域之上，该储存层(D’)系被由Al₂O₃所制成的一蚀刻层(B’)所取代。在制造期间，该蚀刻层(B’)系被侧向地蚀刻出来，因此，该第二边界层(C)系受到底切，而所形成之空隙则是由该储存层(D’)之该材质(D)所填满，再者，提供适当的间隙壁则是使得该存储单元的尺寸可以加以定义。

主权项

1.一种用于制造一EEPROM之一存储单元的方法，在该存储单元中，-一源极区域(1)以及一漏极区域(2)系形成于半导体材质之中；以及-一具有一储存层(D’)位于边界层(A、C)之间的三层层结构以及一栅极电极(G)系被施加于该源极以及漏极区域之间所提供的一沟道区域(3)之上，其特征在于，在一第一步骤中，一第一边界层(A)、一蚀刻层(B)、一第二边界层(C)以及一栅极电极(G)系被施加于一半导体(S)或一半导体层的一顶侧上，其中，该蚀刻层(B)系由有关于该第一边界层(A)之材质以及同样有关于该第二边界层(C)之材质而可被选择性蚀刻的材质所制成；在一第二步骤中，至少在被提供作为内存电路之一区域外的该第二边界层(C)以及该蚀刻层(B)系加以移除；在一第三步骤中，在该第二边界层(C)之下的部分该蚀刻层(B)系藉由一分别之侧向蚀刻攻击而加以移除，因此，仅该蚀刻层的一剩余部分(B’)余留于该源极区域以及该漏极区域之间的该沟道区域之上；在一第四步骤中，在该第二边界层(C)之下，至少该蚀刻层(B)之该材质已经被移除的那些区域系被该储存层(D’)之该材质所填满；以及在一第五步骤中，存储单元电性连接的更进一步方法步骤系紧接着加以进行。