[发明专利]用于通过原子层沉积来沉积铜膜的挥发性铜(II)配合物无效
| 申请号： | 03802302.4 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1617948A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | A·Z·布拉利;D·L·托恩;J·S·汤普森 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C07F1/08;C07C249/02;C07C249/16;C07C251/78;C07C251/16;C07C251/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;段晓玲 |
| 地址： | 美国特拉华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及新的1，3－二亚胺铜配合物以及1，3－二亚胺铜配合物用于在原子层沉积法中在基材上沉积铜或在多孔固体之中或之上沉积铜的用途。本发明还提供一种生产氨基亚胺的方法以及新的氨基亚胺化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 原子 沉积 挥发性 ii 配合 | ||
【主权项】：
1、一种在基材上形成铜沉积物的方法，包括：a.使基材与铜配合物(I)接触，形成铜配合物在该基材上的沉积物；和![]()
b.使沉积的铜配合物与还原剂接触，其中R1和R4独立地选自H、C1-C5烷基和二甲基氨基；R2和R3独立地选自H、C1-C5烷基、苯基、苄基和4-吡啶基，前提是在R1至R4中的碳总数是4-12；和还原剂选自9-BBN、硼烷、二氢苯并呋喃、吡唑啉、二乙基硅烷、二甲基硅烷、乙基硅烷、甲基硅烷、苯基硅烷和硅烷。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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