[发明专利]半导体生产系统用的陶瓷加热器无效
| 申请号: | 03801911.6 | 申请日: | 2003-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN1613274A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
| 发明(设计)人: | 加智义文;柊平启;仲田博彦 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10;H05B3/16;H05B3/18;H05B3/20;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 程金山 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供了一种用于半导体制造设备的陶瓷基座,其中通过控制基座形状——特别是正常温度下外径沿着厚度——的波动,提高了在加热操作过程中晶片表面的温度均匀性。这种用于半导体制造设备的陶瓷基座(1),在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部有电阻加热元件(3)。不加热时陶瓷基座沿厚度的最大外径和最小外径之差为沿晶片载面的平均直径的0.8%或更小。陶瓷基座(1)还可在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部安排等离子体电极。陶瓷基片(2a)、(2b)优选由至少一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷制造。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 生产 系统 陶瓷 加热器 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体制造设备的陶瓷基座,在其陶瓷基片的表面或内部装有电阻加热元件,这种用于半导体制造设备的陶瓷基座的特征在于,在不加热时,沿基座厚度的最大外径和最小外径之差为沿基座晶片载面的平均外径的0.8%或更小。
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