[发明专利]半导体生产系统用的陶瓷加热器无效
| 申请号： | 03801909.4 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1613139A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 加智义文;柊平启;仲田博彦 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体制造设备用的陶瓷基座，其中通过提高基座晶片载面在其高温区域的平面度，提高了加热操作过程中晶片表面的等温质量，在半导体制造过程中是在晶片载面的高温区域处理晶片的。用于半导体制造设备的陶瓷基座1在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部有电阻加热元件3，其晶片载面在不加热(常温)时为拱形，拱形凹度为每300mm为0.001～0.7mm。陶瓷基座1还进一步在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部配置了等离子体电极。此外，优选陶瓷基片2a和2b至少是一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 生产 系统 陶瓷 加热器 | ||
【主权项】：
1.用于半导体制造设备的一种陶瓷基座，在其陶瓷基片的表面或内部装有电阻加热元件，这种用于半导体制造设备的陶瓷基座的特征在于，在不加热时，其拱形的晶片载面的凹度为0.001～0.7mm/300mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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