[发明专利]多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置无效
| 申请号： | 03801074.7 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1557042A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 东条刚;矢吹义文;安斋信一;日野智公;后藤修;藤本强;松本治;竹谷元伸;大藤良夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光束 半导体激光器 半导体 发光 器件 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多光束型半导体激光器，包括形成于衬底的一个主表面上以形成激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且包括形成于所述氮化物系III-V族化合物半导体层上的阳极电极和阴极电极，包括：所述阳极电极和阴极电极中的至少一个被形成为在电绝缘条件下跨过所述阳极电极和阴极电极中的另外一个。
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