[发明专利]薄膜形成装置无效
| 申请号： | 03801066.6 | 申请日： | 2003-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1556872A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木浩司;成井启修;簗嶋克典;目目泽聪彦 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜形成装置，借助于该装置可以将原料气体均匀地输送至基底表面，从而可以在基底表面上形成厚度均匀的有机薄膜。该薄膜形成装置包括真空室(11)，设置在真空室(11)中的基底座(12)，和用于向基底座(12)的基底安装表面(12a)输送气体的气体输送端元件(22)。该装置的特征在于使气体输送端元件(22)形成为以细长形状将原料气体输送至基底安装表面(12a)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成装置，其包括一真空室；一设置在所述真空室中的基底座；和一用于向所述基底座的基底安装表面输送气体的气体输送端元件，其特征在于，使所述气体输送端元件形成为以细长矩形形状将气体输送至所述基底安装表面。
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