[发明专利]掺杂碳和硅的铜互连有效
| 申请号： | 03800584.0 | 申请日： | 2003-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1547770A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·钱伯斯;瓦莱丽·迪宾;安德鲁·奥特;克里斯蒂娜·华－里格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;吴湘文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件中的互连结构以及该互连结构的形成方法。本发明的实施例包括掺杂碳和掺杂硅的互连，其具有避免在互连和钝化层之间形成硅化铜的浓度。一些实施例对于活化能和/或平均无故障时间，提供了意想不到的电迁移可靠性结果。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 互连 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供具有互连构造的衬底；在所述互连构造中形成掺杂碳的铜互连；以及在避免在掺杂碳的铜互连上形成硅化铜层的浓度对所述掺杂碳的铜互连掺杂硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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