[发明专利]高频模块无效
申请号: | 03800226.4 | 申请日: | 2003-03-05 |
公开(公告)号: | CN1507671A | 公开(公告)日: | 2004-06-23 |
发明(设计)人: | 小濑村孝彦;奥洞明彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01P3/02 | 分类号: | H01P3/02;H05K3/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是在基础基板部(2)上形成高频回路部(3)的高频模块。其具有:在基础基板部(2)的平坦化的增高形成面(16)上形成,其各层在电介质绝缘层上形成配线图模和成膜元件的多层配线层,并且在最上层的配线层(17)上形成配线图模和电感元件(19)的同时形成多个接合面(22)和接地图模(20)的高频回路部(3);在高频回路部(3)的配线层(17)上安装的半导体芯片(4)。通过在配线层(17)上形成的连接电感元件(19)和规定的接合面(22)之间传送线路(24)导入在接地图模(20)上形成的拔出图模区域(20c)内,构成共面型传送线路。 | ||
搜索关键词: | 高频 模块 | ||
【主权项】:
1.一种高频模块,其具有:基础基板部,其具有多层印刷线路板、在最上层实施平坦化处理形成增高形成面;高频回路部,其由各层在电介质绝缘层上形成配线图模和成膜元件、在上述基础基板部的增高形成面上积层形成的多层配线层构成,在最上层的配线层上与上述配线图模和成膜元件同时形成多个接合面和接地图模;安装元件,其由至少有在上述高频回路部的各接合面上连接的端子以及与上述接地图模连接的接地端子、安装在上述高频回路部的最上层的半导体芯片和电子部件组成;其特征在于,通过在上述接地图模上形成的拔出图模区域内保持绝缘导入在上述高频回路部的最上层的配线层上形成连接在上述膜成形元件和规定的接合面之间的传送线路,构成在下层侧不定义接地面的共面型传送线路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03800226.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:充电电池组及其制造方法
- 下一篇:传送线型组件