[实用新型]双向可控硅无效
| 申请号： | 03259201.9 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN2671130Y | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李永慎;冯子源 | 申请（专利权）人： | 浙江中雁电信设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 温州新瓯专利事务所 | 代理人： | 陈旭宇 |
| 地址： | 325000浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双向可控硅，包括上层的电极MT1、触发极GATE和下层电极MT2，在电极MT1的P区旁刻有一深入到N区的窗口，在窗口中另外设置P区，P区和N区形成一个PN结。本实用新型克服了现有技术中双向可控硅不具备导通指示功能的缺陷，通过上述设计，使双向可控硅上的PN结在导通时能对－48V电源提供5－20mA的电流作为信号，具有结构简单、可靠性强、生产工艺简单、相对成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 可控硅 | ||
【主权项】：
1、一种双向可控硅，包括上层的电极MT1、触发极GATE下层电极MT2，其特征是在电极MT1的P区旁刻有一深入到N区的窗口(4)，在窗口(4)中另外设置P区(5)，P区(5)和N区(2)形成一个PN结。
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