[实用新型]保护式三极管无效
| 申请号： | 03231854.5 | 申请日： | 2003-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN2627653Y | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李帮庆 | 申请（专利权）人： | 李帮庆 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L29/73 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322000浙江省义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有过流或过压保护之功能的三极管的结构改良。它的主体方案是所述内三极管T的基极b接电阻R1和可控硅G的正极t1，电阻R1的另一端为外基极B；内三极管的发射极e与可控硅的g极并接于所述电阻R2；电阻R2的另一端与可控硅的负极t2并接为外发射极E；所述内三极管的集电极c即为三极管的集电极C。其中，所述的内三极管可以为普通半导体三极管，也可为达林顿管，或者为场效应管。因此，本实用新型具有结构较为简单，布置合理、紧凑，只需在现有半导体三极管上略增加点成本，即具有过流或过压保护的作用，可明显提高三极管的使用寿命等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 三极管 | ||
【主权项】：
1.一种保护式三极管，包括管体和设于其上的三个管脚，其内置有内三管和电阻，其特征在于所述内三极管T的基极b接电阻R1和可控硅G的正极t1，电阻R1的另一端为外基极B；内三极管的发射极e与可控硅的g极并接于所述电阻R2；电阻R2的另一端与可控硅的负极t2并接为外发射极E；所述内三极管的集电极c即为三极管的集电极C。
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