[实用新型]薄型化发光二极管的晶粒结构无效
| 申请号： | 03208082.4 | 申请日： | 2003-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN2692842Y | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 林晃辉;罗兴轩;余佳骏;李明顺 | 申请（专利权）人： | 曜富科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桢 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄型化发光二极管的晶粒结构，其是包括一透光基板及其上的发光磊晶层，此晶粒结构的特征是通过由薄化透光基板以使透光基板及发光磊晶层的厚度总和小于230微米，进而达到薄化GaP或GaAsP晶粒的目的。本实用新型具有提高亮度及降低操作电压的优点，故兼具有提高性能及价格便宜的双重效益，且体积小而具有高加工弹性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄型化 发光二极管 晶粒 结构 | ||
【主权项】：
1、一种薄型化发光二极管的晶粒结构，其是应用于GaP发光二极管及GaAsP发光二极管，该薄型化发光二极管的晶粒结构包括一透光基板，以及一发光磊晶层位于该透光基板上，其特征在于：该透光基板及该发光磊晶层的厚度总和是小于230微米。
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