[实用新型]具化合物反射结构的发光二极管无效
| 申请号： | 03208019.0 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN2694495Y | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郑为太;叶瑞鸿 | 申请（专利权）人： | 兆亨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省新竹县竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种具化合物反射结构的发光二极管，其包括有：叠设的反射层，各反射层为分布式布拉格反射层(Distributed BraggReflector，DBR)、基板、一层叠于该基板上的N型半导体层及一层叠于该N型半导体层的表面上的发光层，一层叠于该发光层表面上的P型半导体层，使该各叠设的反射层设置于基板的下方；或将该叠设的反射层设置于基板与N型半导体层之间；通过上述的结构，可使发光二极管于发出光源时，由各反射层分别反射以各种角度射入的光源，而达到减少发光二极管的光源散逸，提升该发光二极管于使用上的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 反射 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具化合物反射结构的发光二极管，其特征在于，至少包括：叠设的反射层，各反射层为分布式布拉格反射层，以形成一反射结构；一基板，该基板的底面设于相互叠设的反射层的顶面上；一N型半导体层，形成于上述基板上；一发光层，形成于该N型半导体层上；一P型半导体层，披覆于该发光层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兆亨科技股份有限公司，未经兆亨科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03208019.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
