[发明专利]集成电路设备及用于该设备的系统无效
| 申请号： | 03164961.0 | 申请日： | 2003-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1495897A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李东阳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;G06F13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭鸿禧;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种具有两个或两个以上输入端口的集成电路设备以及用于所述集成电路设备的系统，其中，所述集成电路设备包括：用于输入与输出数据的第一端口和用于输入数据的第二端口，并且，当输入所述数据时，外部命令选择所述第一端口和/或所述第二端口；所述第二端口具有的引脚数为所述第一端口的1/2n，其中，n为自然数；所述集成电路设备包括两个或两个以上独立工作的端口以便减少周转时间并且提高所述集成电路设备和所述系统的数据总线效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 设备 用于 系统 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路设备，包括：第一端口，用于输入和输出数据；以及第二端口，用于输入数据；其中，当输入所述数据时，外部命令选择所述第一端口和所述第二端口中的至少一个端口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
