[发明专利]全芯片无铬相光刻技术生产中实现关键尺寸线性控制的方法有效
| 申请号： | 03164843.6 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1495521A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | D·范登布罗克;C·苏;J·F·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;G03F7/20;G03F9/00;G06F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种产生用于印刷图案的掩膜的方法，该图案包括多个具有不同关键尺寸的特征。该方法包括的步骤有：(1)获得描绘图案的数据；(2)根据多个特征的关键尺寸，定义多个不同区域；(3)对每一特征分类，并划分到多个不同区域中的一个区域；和(4)对每一分类划分到多个不同区域的预定不同区域的特征，进行对掩膜图案的修改。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 无铬相 光刻 技术 生产 实现 关键 尺寸 线性 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种产生用于印刷图案的掩膜的方法，该图案包括多个具有不同关键尺寸的特征，所述方法包括的步骤有：获得描绘所述图案的数据；根据所述多个特征的关键尺寸，定义多个不同区域；对每一所述特征分类，并划分到所述多个不同区域中的一个区域；和对每一分类划分到所述多个不同区域的预定不同区域的特征，进行对所述掩膜图案的修改。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
