[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 03159809.9 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1497609A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 林光昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10;G11C17/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 鉴于晶体管的关断漏泄因微细化而增大，无需为保持位线的“H”电平所需的电荷补给用晶体管，既可高速读出位线为“L”电平的存储数据，从而提供可高速读出的半导体集成电路。为此，设置了高电位源布线和低电位源布线。然后，将存储单元的源有选择地连接到高电位源布线和低电位源布线中的某一源布线上。在读出时使位线电位保持在“H”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到高电位源布线上；在读出时使位线电位下降到“L”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到低电位源布线上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于：包括：配置成矩阵状的多个存储单元晶体管；分别连接上述存储单元晶体管的漏和栅的多条位线和多条字线；以及有选择地连接上述存储单元晶体管的源的高电位源布线和低电位源布线，上述存储单元晶体管的源根据将要保持在上述存储单元晶体管上的数据，用掩模可编程法与上述高电位源布线和低电位源布线中的某一条连接。
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