[发明专利]薄膜沉积反应器无效
申请号: | 03159779.3 | 申请日: | 2003-09-25 |
公开(公告)号: | CN1600897A | 公开(公告)日: | 2005-03-30 |
发明(设计)人: | 林辉巨 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种依据控制程序运行的薄膜沉积反应器,该反应器包括第一、第二阀门,用以防止第一、第二阀门同时被开启的控制单元,以及反应室。第一、第二气体分别经由被开启的第一、第二阀门被导入反应室。控制程序分别设定第一阀门和第二阀门,使得这二个阀门之中的每一个是在另一个被关闭后的一时间间隔内被开启,并且第一气体流速和第二气体流速之一为零。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 反应器 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜沉积反应器,该反应器包括:一第一气体阀门,用以控制第一气体的流量;一第二气体阀门,用以控制第二气体的流量;一控制单元,用以控制该第一气体阀门以及该第二气体阀门的动作;以及一反应室,与该第一气体阀门、该第二气体阀门连接,以供容纳该第一气体或该第二气体并进行沉积工艺;其中,该第一气体阀门与该第二气体阀门不得同时开启,以使该第一气体或该第二气体可于同一反应室中进行沉积工艺。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的