[发明专利]多晶硅的蚀刻方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl₂蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0－10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。

主权项

1、一种多晶硅的蚀刻方法，该方法包括以下步骤：制备半导体基片，该基片具有在所述基片的一个主表面上形成的带有凸起的绝缘膜和沉积在所述绝缘膜上并覆盖所述凸起的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成抗蚀层，所述抗蚀层具有不覆盖至少一部分所述凸起侧壁的预定图形；利用HBr和Cl2的混合气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施蚀刻所述多晶硅层的第一等离子蚀刻工艺，以便留下具有与所述抗蚀层对应的图形的所述多晶硅层，并且由部分所述多晶硅层形成的多晶硅残留物遗留在所述凸起侧壁上；以及利用HBr这一种气体并以所述抗蚀层作为掩模，来实施去除多晶硅残留物的第二等离子蚀刻工艺。