[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 03158576.0 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1497810A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 大久保伸洋 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器及其制造方法，可以降低在高输出工作时的驱动电流，并且确保较高的长期可靠性。该半导体激光器包括一半导体基板，一第一导电型的第一覆盖层，一活性层，一第二导电型的第二覆盖层以及一第二导电型的保护层，并且在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层(窗口区)的荧光峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的活性层(活性区)的荧光峰值波长。在靠近激光谐振器端面的区域中的活性层内，具有第二导电性的第一杂质原子和具有第二导电性的第二杂质原子混合存在，同时第一杂质原子的浓度高于第二杂质原子的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器，包括：一半导体基板；一第一导电型的第一覆盖层；一活性层；一第二导电型的第二覆盖层；以及一第二导电型的保护层；其中在靠近激光谐振器端面的区域中的该活性层的荧光峰值波长小于在该激光谐振器内部区域中的该活性层的荧光峰值波长；以及具有第二导电性的第一杂质原子和具有该第二导电性的第二杂质原子混合存在于靠近该激光谐振器端面的区域中的所述活性层内，所述第一杂质原子的浓度高于该第二杂质原子的浓度。
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