[发明专利]抑制图像采集中漏电流的方法有效
| 申请号： | 03157791.1 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1508611A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 多田正浩;中村卓;多田典生;吉田征弘 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L27/146;H01L29/786;G09G3/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在显示装置的制造过程中，光电二极管D1和D2的I层内的氢化进程慢于像素TFT沟道部分的氢化进程，并把光电二极管D1和D2的I层中因悬空键不中断而造成的缺陷密度，做成高于像素TFT沟道部分内的缺陷密度。因此，在抑制像素TFT的漏电流时，提高了光电二极管D1和D2对光的灵敏度。另将栅极置于Pin型光学传感器二极管的i区上方，其间插入绝缘膜。因此，在电流开始流入光学传感器二极管时，栅极电压能控制偏置电压的阈值，防止漏电流流入光学传感器二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 图像 集中 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其特征在于，包括：用于驱动形成于信号线与扫描线各交点的像素的开关元件；和至少逐一设置并分别对应于诸开关元件的光电转换元件，用于把在指定范围内所接收到的光转换为电信号，其中光电转换元件在p层与n层之间有一I层，而该I层的缺陷密度高于开关元件沟道部分的缺陷密度。
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