[发明专利]高速可编程不挥发性半导体存储装置无效
| 申请号： | 03157739.3 | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1508693A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 读动作中，例如32个读出放大器统一读出32个数据。然后，读出的数据以每次4比特地输出。存储单元阵列以实际的数据输出频率的八分之一的低频动作。另一方面，写动作中，在每个循环逐个比特地从外部向半导体存储装置转送数据。因而通过在写存取路径中设置多个流水线的锁存器，也可以以高频进行写入动作。即在读出时，存储阵列以数据输出频率的八分之一的低频动作，在写入时，在每个时钟进行数据写入动作。从而，可以提供以高速的转送速度可编程的不挥发性半导体存储装置。尤其对MRAM等可进行高速数据写入的存储单元有效。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 可编程 挥发性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，令M为正数，N为小于M的正数时，该半导体存储装置包括：写入循环时间比读出循环时间短的存储单元群；读出电路，在以时钟信号的一个循环的M倍的期间表示的第1周期中，将输出数据从上述存储单元群反复连续读出；写入电路，在以上述时钟信号的一个循环的N倍的期间表示的第2周期中，将输入数据反复连续写入上述存储单元群。
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