[发明专利]硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法无效
| 申请号： | 03157326.6 | 申请日： | 2003-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1598078A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;吴星;张淑玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法，包括如下步骤：1)制备Ca3(BO3)2粉末相：将CaCO3和B2O3粉末混合均匀，在1200℃加热24～36小时，然后冷却到室温；2)使用熔体提拉法生长Ca3(BO3)2单晶：将步骤1)制得的Ca3(BO3)2粉末置于铂金坩埚中，在提拉式单晶炉内，升温至1500～1550℃恒温1～5小时，然后降至1465～1480℃，待温度平衡后，采用定向籽晶，下籽晶，并恒温1～2h；以0.5～3℃/h的降温速度缓慢降温，晶体开始生长，同时晶体以20～60转/分的速度转动，以1～3mm/h的速度提拉晶体；待晶体生长到所需的尺寸，将晶体提离液面，以50～60℃/h的速度降至室温，即得到硼酸钙单晶。以该方法生长Ca3(BO3)2晶体，可以获得大尺寸高质量的单晶，且工艺过程比较简单，易于操作，生长速度快，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 钙单晶 熔体提拉 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法，包括如下的步骤：1)制备Ca3(BO3)2粉末相：将CaCO3和B2O3粉末混合均匀，在1200℃加热24～36小时，然后缓慢冷却到室温，得到纯的Ca3(BO3)2粉末相；2)使用熔体提拉法生长Ca3(BO3)2单晶：将步骤1)制得的Ca3(BO3)2粉末置于铂金坩埚中，然后在提拉式单晶炉内，升温至1500～1550℃恒温1～5小时，然后降至1465～1480℃，待温度平衡后，采用定向籽晶，下籽晶，并恒温1～2h；以0.5～3℃/h的降温速度缓慢降温，晶体开始生长，同时晶体以20～60转/分的速度转动，以1～3mm/h的速度提拉晶体；待晶体生长到所需的尺寸，将晶体提离液面，以50～60℃/h的速度降至室温，即得到硼酸钙单晶。
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