[发明专利]接触插塞的制作方法

摘要

本发明是有关于一种半导体制程，特别有关于一种位线的接触插塞的制作方法，其主要特征在于直接将多晶硅藉由沉积、蚀刻等过程，形成一多晶硅连接垫(landing pad)，然后便可在全面沉积的内层介电层中同时形成位线接触孔(CB)、闸极接触孔(CG)以及汲极接触孔(CD)。如此，多晶硅连接垫具有完整的轮廓，且同时形成各种接触孔，可以避免对不准的问题，避免短路。

主权项

1、一种接触插塞的制作方法，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体基底，其表面上设有依序相邻的一第一闸极导电结构、一第二闸极导电结构、一第三闸极导电结构以及一第四闸极导电结构，其中第二闸极导电结构与第三闸极导电结构是位于一有效区域内；形成一多晶硅层，以填满于各闸极导电结构的空隙内；形成一图案化罩幕，以覆盖于多晶硅层位于第二闸极导电结构与第三闸极导电结构的间隙的表面；以图案化罩幕层为遮蔽，蚀刻多晶硅层，仅留下多晶硅层位于第二闸极导电结构与第三闸极导电结构的间隙的区域，以形成一多晶硅连接垫；形成一内层介电材料层，以覆盖多晶硅连接垫与各闸极导电结构，并填满各相邻闸极导电结构的空隙；形成一位线接触洞于内层介电层内，以曝露出多晶硅连接垫的表面；以及形成一导电层于位线接触洞内，以用作为一位线接触插塞。