[发明专利]一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法无效
| 申请号: | 03156237.X | 申请日: | 2003-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN1486123A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
| 发明(设计)人: | 邓振波;张梦欣;梁春军;王永生 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
| 主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;H05B33/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100044北*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法。先对光刻好的ITO玻璃基片,进行类似加盖印章式的简单处理,将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上;形成绝缘隔离柱,备蒸发完各个有机层后蒸发背电极。其步骤:设计背电极的条纹图案;选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷,制作条纹图案的图章;利用该图章,将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上,方向与ITO垂直,厚度约为1-5微米;烘干冷却后,形成与ITO条纹垂直的的沟道——隔离柱;蒸镀其他层;蒸镀背电极材料。该方法的优点是既省略了光刻的复杂工艺,又克服了掩膜法分辨率低,对板(模具)困难的缺点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 电致发光 器件 制备 工艺 电极 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法,其特征在于:该方法的具体步骤:(1)设计背电极的条纹图案;(2)选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷,制作条纹图案的图章;(3)利用该图章,将聚亚胺酯或绝缘树脂材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上,方向与ITO垂直,厚度约为1-5微米;(4)烘干冷却后,形成与ITO条纹垂直的的沟道—隔离柱;(5)蒸镀其他层;(6)蒸镀背电极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学,未经北京交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03156237.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。





