[发明专利]薄膜电晶体阵列基板及其微影制造方法与光罩设计结构有效
| 申请号: | 03155971.9 | 申请日: | 2003-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN1591773A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
| 发明(设计)人: | 郭泰裕;林东村;曾旭平 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/84;G03F7/00;G03F1/00;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明是关于一种薄膜电晶体阵列基板及其微影制造方法与光罩设计结构。该微影制造方法是首先将光罩设置在一基板上方,且基板上已形成有一光阻层。然后,将光罩的显示元件区遮蔽住,以对光阻层进行非显示元件区的曝光制程。继之,将光罩的非显示元件区遮蔽住,对光阻层重复进行至少一次显示元件区的曝光制程。最后,进行一显影制程,以图案化光阻层。其中对应于显示元件区处的光阻层中可形成多个画素图案,而对应于非显示元件区处的光阻层中可形成多个周边线路图案以及多个拟画素图案,且每一个拟画素图案与每一个画素图案对应接合。本发明可降低曝光制程时所需曝光次数,减少因曝光接合所产生的痕迹,有效减少因多次曝光制程间若接合不佳而导致辉度不均匀问题。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 电晶体 阵列 及其 制造 方法 设计 结构 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜电晶体阵列基板的微影制造方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一光罩,该光罩具有一非显示元件区以及一显示元件区,其中该非显示元件区中邻近该显示元件区之处是设计有复数个拟画素图案;将该光罩设置在一基板上方,且该基板上已形成有一光阻层;将该光罩的该显示元件区遮蔽住,对该光阻层进行非显示元件区的曝光制程;将该光罩的该非显示元件区遮蔽住,对该光阻层重复进行至少一次显示元件区的曝光制程;以及进行一显影制程,以图案化该光阻层,其中对应于该显示元件区处的该光阻层中是形成有复数个画素图案,对应于该非显示元件区之处的该光阻层中是形成有复数个周边线路图案以及复数个拟画素图案,且该些拟画素图案与该些画素图案接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





