[发明专利]透过覆层对隧道结器件的隧道阻挡层进行的紫外光处理

摘要

本发明公开了一种用紫外光(30)透过隧道结器件(50)的一覆层(8)处理非导电隧道阻挡层(6)的方法。该方法包括用紫外光透过覆盖隧道阻挡层的至少一个覆层照射隧道阻挡层，以激活(a)设在隧道阻挡层内的氧或氮原子，使这些原子与隧道阻挡层的目标材料(11)起反应，从而形成一个均匀氧化或氮化隧道阻挡层，其中的缺陷(11，12，13)最少甚至没有，并且/或者有一个希望的击穿电压。紫外光(30)可以在形成覆层的过程之中或之后照射隧道阻挡层。加热(H)可以在照射步骤之前、之中或之后进行，以增加激活率并进一步减少缺陷。该方法可以用到包括磁场敏感存储器件如MRAM在内的任何隧道结器件(50)中。

主权项

1.一种处理隧道结器件(50)的隧道阻挡层(6)的方法，包括：在原已形成的隧道阻挡层(6)上形成一预定厚度t0的覆层(8)；用紫外光(30)透过覆层(8)照射隧道阻挡层(6)，紫外光(30)穿透覆层(8)的预定厚度(t0)并入射到隧道阻挡层(6)内的反应物(12)上；其中紫外光(30)用于激活(a)反应物(12)，从而使反应物(12)与隧道阻挡层(6)的材料(11)起反应并将材料(11)转变为一种非导电材料。