[发明专利]闪存存储单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种闪存存储单元及其制造方法，该闪存存储单元包括衬底、选择栅极、浮置栅极、栅介电层、高电压掺杂区以及源区。衬底上具有第一开口，其中还具有第二开口。选择栅极位于第一开口的侧壁上，浮置栅极位于第二开口的侧壁上，且栅介电层位于选择/浮置栅极与衬底之间。高电压掺杂区位于第二开口底部的衬底中，且源区位于第一开口外侧的衬底中。在该闪存存储单元的制造方法中，选择栅极和浮置栅极分别同时形成在第一开口和第二开口的侧壁上。

主权项

1.一种闪存存储单元，包括：衬底，在该衬底上具有第一开口，且第一开口底部的衬底中还设有第二开口，该第二开口的宽度小于第一开口的宽度，且从衬底表面算起的第二开口的深度大于第一开口的深度；选择栅极，位于第一开口的侧壁上；浮置栅极，位于第二开口的侧壁上；栅介电层，位于选择栅极与衬底之间以及浮置栅极与衬底之间；高电压掺杂区，位于第二开口底部的衬底中；以及源区，位于第一开口外侧的衬底中。