[发明专利]图案复制掩模、半导体装置制造方法及掩模图案制作用程序

摘要

在双镶嵌结构形成时抑制沟道形成用的光刻胶图案(光刻胶掩模)上出现的通孔附近的图案不良。图案复制掩模101的掩模图案110由遮光图案111和透光图案112构成。遮光图案111在与通孔51H对应的部分附近具有施加尺寸减小处理的形状(图案)。最好对通孔51H占有率越高的区域施加越大的尺寸减小处理。另外，掩模101用于负型光刻胶，但对于正型光刻胶用的掩模将遮光图案111和光透过图案112相互调换即可。

主权项

1.一种在半导体装置制造时用以复制图案到光刻胶上的图案复制掩模，其中：所述半导体装置在同一层上设有多个双镶嵌结构，该结构含有至少一个孔、在所述至少一个孔上延伸的沟槽以及埋入所述至少一个孔内及所述沟槽内的导体；所述图案复制掩模，在为形成所述沟槽而对所述光刻胶形成图案时使用；所述图案复制掩模包含，在与各孔对应的部分附近作了尺寸减小或尺寸加大处理的遮光图案，以及透光率高于所述遮光图案的透光图案。