[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 03154641.2 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1585088A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 杨克勤 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先在一基板上形成一栅极以及与栅极电性连接的一扫描配线，接着在基板上形成一栅极绝缘层。之后在栅极上方的栅极绝缘层上形成一通道层。随后在基板的上方形成一透明导电层以及一金属层，之后图案化金属层与透明导电层，以定义出一源极/漏极、一数据配线以及一像素区域，然后在基板的上方形成一保护层，暴露出像素区域中的金属层，之后再以保护层为掩膜，移除像素区域中的金属层，而形成一像素电极，由于本发明只需使用四道光掩膜，因此可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在一基板上形成一栅极以及与该栅极电性连接的一扫描配线；在该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极以及该扫描配线；在该栅极上方的该栅极绝缘层上定义出一通道层以及一欧姆接触层；在该基板的上方形成一透明导电层；在该透明导电层上形成一金属层；图案化该金属层与该透明导电层，以定义出一源极/漏极、一数据配线以及一像素区域；在该基板的上方形成一保护层，暴露出该像素区域中的该金属层；以及以该保护层为掩膜，移除该像素区域中的该金属层，暴露出该像素区域中的该透明导电层，而形成一像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
