[发明专利]采用CMOS技术中电流模式技术的精确电压/电流参考电路有效
| 申请号: | 03154092.9 | 申请日: | 2003-08-15 | 
| 公开(公告)号: | CN1581008A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 | 
| 发明(设计)人: | O·-Y·秦;H·杨;Y·F·谷 | 申请(专利权)人: | IDT-紐威技术有限公司 | 
| 主分类号: | G05F3/02 | 分类号: | G05F3/02;G05F3/24 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李家麟 | 
| 地址: | 200233上海*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | 一种电压/电流参考电路包括第一双极型晶体管各第二双极型晶体管,它们分别呈现出第一电压降VBE1和VBE2。第一电阻器具有电阻R1,其构成流过的第一电流等于(VBE1-VBE2)/R1。第二电阻器具有电阻R2,其构成流过的第二电流等于VBE1/R2。第一晶体管降第一和第二电阻器提供第一和第二电流。第二晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,直接提供等于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的参考电流。第三晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,所提供的电流等于流过第三电阻器和第三双极型晶体管的参考电流,其中,第三电阻器具有电阻R3,以及第三双极型晶体管呈现出第三电压降VBE3,从而产生参考电压。 | ||
| 搜索关键词: | 采用 cmos 技术 电流 模式 精确 电压 参考 电路 | ||
【主权项】:
                1.一种电流参考电路,其特征在于,它包括:第一双极型晶体管,它呈现出第一电压降VBE1;第二双极型晶体管,它呈现出第二电压降VBE2;第一电阻器,它具有电阻R1,所构成的第一电阻器使第一电流正比于(VBE1 -VBE2)/R1;第二电阻器,它具有电阻R2,所构成的第二电阻器使第二电流正比于VBE1/R2;构成第一晶体管,以提供第一和第二电流;采用第一晶体管的电流镜电路构成的第二晶体管,其中,第二晶体管提供正比于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的参考电流。
            
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