[发明专利]用于记忆体积体电路的晶圆等级烧录有效
| 申请号： | 03153020.6 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1581456A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 施正宗;戎博斗;刘士晖 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/10;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具烧录功能的记忆体元件包括一记忆体单元陈列和一烧录测试区块，其中该烧录测试区块又包含一记忆体位址产生器、一资料模式产生器、及一指令模式产生器，而此烧录测试区块可将资料写入至该记忆体单元中、可启动陈列中的字线至ON的状态、并可将此陈列箝制在一静态模式中。本发明并揭露藉此元件来进行晶圆等级烧录的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 记忆体 积体电路 等级 | ||
【主权项】：
1.一种具有烧录功能的记忆体元件，包括：一记忆体单元陈列；以及一烧录测试区块，包括：一记忆体位址产生器；一资料模式产生器；及一指令模式产生器，其特征在于：其中该烧录测试区块可将资料写入至该记忆体单元、可将该陈列中全部的字线加以启动为ON状态并可将该陈列箝制在一静态模式中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
