[发明专利]具有低内阻的半导体器件有源区表面粗化处理方法无效
| 申请号： | 03152955.0 | 申请日： | 2003-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1494116A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有低内阻的半导体器件有源区表面粗化处理方法，其核心是采用化学或化学与电化学组合方法对双极型半导体器件中的有源区表面进行粗化处理。所述化学方法是使用pH值为7以上的碱性溶液浸渍该表面。所述化学与电化学组合方法是以白金作为一个电极接直流电源的负极，试料硅片作为另一个电极接电源正极，两个电极在电解槽中相距，电解液为氢氟酸水溶液，以此对硅片作电解处理。本发明能够很好的解决双极型浅结半导体器件有源区表面粗化处理的难题，在获得高密度、表面积比大的粗化表面同时又不会引起机械损伤，从而显著提高了载流子注入效率、有效降低了内阻，减少了电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内阻 半导体器件 有源 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有低内阻的半导体器件有源区表面粗化处理方法，其特征在于：采用pH值为7以上的碱性溶液通过浸渍对有源区表面进行粗化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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